中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理方面。下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、冷却系统1.冷却结构无2.产品降温随炉降温3.安全保护4.报警指示超温、断偶、停水、停气等声光报警保护5.设备安全升温速率≤5℃/min二、温度控制系统1.温度测量采用K分度热偶测...
下面为大家介绍一下全自动HMDS真空烤箱的整机尺寸、真空腔体尺寸。1.内胆尺寸:650*650*650;450*450*450mm;300*300*300mm;2.载物托架:2块3.室温+10℃-250℃控温范围:温度分辨率:0.1℃温度波动度:±0.5℃4.真空泵:油泵或无油真空泵。真空度:133pa,5.加热方式:腔体下部及两侧加温。加热器为外置加热板(防止一侧加热使的HMDS液进入箱体内不能完本转成气态)6.可放2寸晶圆片或4寸晶圆片;6寸晶圆片;8寸晶圆片等。7.开箱温度可以由user自行设定来降低process时间(正常工艺在50分钟-120分钟(按产品所需而定烘烤时间),为正常工作周期不含降温时间(因降温时间为常规降温)。合肥真萍与您分享网带炉的重要性。浙江生产网带炉专卖
本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱,首先简单介绍一下HMDS预处理系统的必要性:在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。江苏小型网带炉批发网带炉的发展趋势如何?
一、产品介绍真空烤盘炉是与MOCVD设备配套使用的炉体,炉内抽真空,被处理工件放置在炉膛内,采用清洗气体加热反应方式进行干式清洗(清洗气体:N2,H2)。主要用于有效清洗除MOCVD承受器(SiC涂层石墨盘或石英盘)上的氮化镓和氮化铝等,可达到有效清洁处理,提高制品质量的目的。二、设计特点1.后门设计热风电机2.降温时风机开启,同时两端降温封头开启,炉膛内产生如图所示的气体流向3.通过气体介质将隔热层内与水冷壁之间进行热交换,达到快速降温的目的
一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度±1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度±6℃(恒温800℃,1h)二、冷却系统1.冷却结构无2.产品降温随炉降温3.安全保护4.报警指示超温、断偶、停水、停气等声光报警保护5.设备安全升温速率≤5℃/min,在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。网带炉如何发挥重要作用?合肥真萍告诉您。
超高真空烘箱广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。 1.工作室温度范围:常温~ +300℃ 用户使用温度260℃ 2.温度波动度:±1.0℃(空载); 3.温度偏差:常压温度试验:常温~200℃时±2℃ 200~300℃时±5.0℃ 低气压高温综合试验:≤100℃时±2.0℃, 100℃~200℃时±5.0℃ 200℃~300℃时±7.0℃。上海哪家网带炉厂家值得信赖?固化网带炉厂家直供
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超高真空烘箱被广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的降温速率。 1.升温时间:①常压时:90min(常温~ +260℃) ②低气压0.0001pa时:180min(常温~ +260℃) 2.降温时间:3℃~10℃/min(260℃~ 120℃), 1℃~5℃/min(120℃~ 常温℃) 3.降温方式:水冷降温 4.试验箱承压方式:采用内承压方式 5.压力范围:常压~0.0001Pa浙江生产网带炉专卖
中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理方面。下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、冷却系统1.冷却结构无2.产品降温随炉降温3.安全保护4.报警指示超温、断偶、停水、停气等声光报警保护5.设备安全升温速率≤5℃/min二、温度控制系统1.温度测量采用K分度热偶测...
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