大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effective mass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。按设定点：设定点可调型和设定点不可调型两种。防爆差压控制器收购价格
霍尔压力传感器：霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。理想霍尔元件的材料要求要有较高的电阻率及载流子迁移率，以便获得较大的霍尔电动势。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、锗(Ge)、砷化镓GaAs)及多层半导体质结构材料，N型硅的霍尔系数、温度稳定性和线性度均较好，砷化镓温漂小，目前应用。浙江控制器厂商通过惠斯登电桥把电阻应变片的电阻变化转变为毫伏信号输出。
仪表自动化设备的维护
制定相应的维护方案和技术:自动化技术的应用在很大程度上减少了雇佣人力资源的成本，节约了维修时间，有利于仪表设备自动化的进一步发展。所以我们要对此制定相应的维护方案和技术，节约维修的时间和成本，促进仪表自动化设备的正常使用。
制定合理的操作规范:TPM管理，就是使全体员工都参与进来，一起制定和执行相应的规范，然后对这个规范进行评估，对其不断进行改进和完善，加强对其的规范。我们也可以在仪表的维护方面使用TPM的管理方法。首先我们要具体分析实际的情况，根据实际来制定具体的方案。在应用TPM的过程中，我们要制定合理的规划，然后再制定相关的规范，并且要加强对其的执行力度。还要针对管理的效果进行评估和分析，不断对其进行改进和完善。我们要制定严格的操作规范，加强对于仪表自动化设备的维护。
建立仪表维护规范：企业还可以加强对于自动化设备管理的预防，我们可以对日常工作的操作进行规范，总结相关的经验，并且将这些经验整理起来，还可以用书面化的形式体现出来，制成手册分发给其他的员工。这样可以为员工提供一些先例，同时我们还要制定相应的维护计划，保障仪表的定期保养，促进仪表的正常使用。
电磁压力传感器是多种利用电磁原理的传感器统称，主要包括电感压力传感器、霍尔压力传感器、电涡流压力传感器等。电感式压力传感器的工作原理是由于磁性材料和磁导率不同，当压力作用于膜片时，气隙大小发生改变，气隙的改变影响线圈电感的变化，处理电路可以把这个电感的变化转化成相应的信号输出，从而达到测量压力的目的。该种压力传感器按磁路变化可以分为两种：变磁阻和变磁导。电感式压力传感器的优点在于灵敏度高、测量范围大；缺点就是不能应用于高频动态环境。变磁阻式压力传感器主要部件是铁芯跟膜片。它们跟之间的气隙形成了一个磁路。当有压力作用时，气隙大小改变，即磁阻发生了变化。如果在铁芯线圈上加一定的电压，电流会随着气隙的变化而变化，从而测出压力。在磁通密度高的场合，铁磁材料的导磁率不稳定，这种情况下可以采用变磁导式压力传感器测量。变磁导式压力传感器用一个可移动的磁性元件代替铁芯，压力的变化导致磁性元件的移动，从而磁导率发生改变，由此得出压力值。按触电调节方式：两位式和三位式两种。
设定值为上切换值的调整方法
选用设定范围在（0.05～2.5）MPa的控制器,要求上限切换值为2.0MPa。1、松开锁紧器，将控制器旋入校验台的螺纹接口上；打开盖板，将电缆穿过电缆接口接入端子板，电缆另一头接上万用表；2、加压至2.0MPa,此值可由标准压力表读出；顺时针转动设定值调节镙杆，使设定值由大变小，直至微动开关在2.0MPa处切换。3、旋动锁紧器，调节校验台压力，使其在2.0MPa上下来回变化，校验压力上升时，切换值是否为2.0MPa，此值即为要求设定的上切换值，此值减去切换差（约0.085MPa)即为下切换值。
设定值为下切换值的调整方法
同样选用设定范围在（0.05～2.5）MPa的控制器，但要求压力下降至1.8MPa(此值为下切换值）发出触点信号。1、松开锁紧器，将控制器旋入校验台的螺纹接口上；打开盖板，将电缆穿过电缆接口接入端子板，电缆另一头接上万用表。2、加压至1.8MPa,此值可由标准压力表读出；逆时针转动设定值调节镙杆，使设定值由小变大，直至微动开关在1.8MPa处切换。3、旋动锁紧器，调节校验台压力，使其在1.8MPa处上下来回变化，校验压力下降时，切换值是否为1.8MPa，此值即为要求设定的下切换值，此值加上切换差（约0.85MPa)即为上切换值。 上海中和自动化供应 D530/7DD防爆差压控制器。江苏温度控制器
压力传感控制器是工业实践中常用的一种传感器，广泛应用于各种工业自控环境。防爆差压控制器收购价格
压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力传感器主要基于压阻效应（Piezoresistiveeffect）。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。防爆差压控制器收购价格
上海中和自动化仪表有限公司创建于1992年，公司于2007年注入大量技术科技人员，使之成为二位式控制器专业制造公司。
本公司生产的二位式控制器具有***的适用性 ，在电力、石化、冶金工程、船舶制造中有着相应应用。
我公司的宗旨是：中规中矩，诚信待人。
我公司诚意与国内外广大用户竭诚合作，携手共进，共创辉煌。
本公司产品：压力控制器有D系列与Y系列。
差压控制器有D系列与C系列.
温度控制器有D系列与W系列.
靶式流量控制器有：LKB-01,LKB-02.
