AI眼镜的轻量化设计要求SoC具备极高的功能密度与能效比，其内部状态机复杂，需支持多种低功耗模式（如DeepSleep、Standby）与快速唤醒机制。GT600的GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率与0.1%测量精度，可精确测量SoC从休眠到**的响应延迟，确保用户语音唤醒、手势触发等交互的实时性。其32/64/128M向...

  杭州国磊半导体设备有限公司依托**团队在半导体测试领域的技术积累，成功推出GM8800导电阳极丝测试系统，该系统专为应对高阻和绝缘材料测试挑战而设计。GM8800支持16~256通道分组测试，每组16通道**运行，电阻检测范围跨足10^4~10^14Ω，电流实时检测范围0.1μA~500μA，检测速度全通道可达8次/秒，采用完全屏蔽线缆，...

  杭州国磊半导体设备有限公司GM8800导电阳极丝（CAF）测试系统是国产**半导体测试装备的重大成就，其性能指标直接对标国际**水平。该系统支持高达256个**通道的同步测试，电阻测量范围横跨10^4~10^14Ω，精度控制在±3%~±10%之间，能够满足**苛刻的绝缘材料与PCB板的CAF效应评估需求。GM8800提供极其灵活和精确的电...

  AI眼镜的崛起标志着消费电子向“感知+计算+交互”一体化演进。其**SoC是典型的高度集成、低功耗、混合信号器件，测试难度远超传统MCU。国磊GT600测试机凭借nA级电流测量、高精度模拟测试、10ps时序分析、高并行架构与开放软件平台，成为AI眼镜SoC从研发验证到量产落地的关键支撑。它不**满足当前40/28nm节点的测试需求，更具备...

  天玑9000系列的成功，标志着国产手机SoC在AI赛道的**崛起。而其背后，离不开从设计、制造到测试验证的完整产业链支撑。国磊GT600测试机凭借其高通道密度、高并行能力、混合信号支持与开放C++软件架构，已成为**SoC测试的关键基础设施。它不**支持STDF等标准数据格式输出，便于良率分析与AI模型训练反馈，还可通过GPIB/TTL接...

  GM8800CAF测试系统通过3000V外置高压模拟电池过充状态，实时监测0.1μA~500μA漏电流（8次/秒·通道）。当隔膜绝缘电阻降至10⁸Ω（精度±3%）时触发多级报警，预防热失控。在双85环境（85℃/85%RH）下进行1000小时加速测试，精确量化电解液浸润后的材料劣化曲线：1、10¹⁰Ω阈值点对应0.05mm级隔膜缺陷。2、...

  在HBM技术快速迭代的背景下，芯片企业亟需灵活、开放的测试平台，以快速响应设计变更与测试需求升级。国磊GT600测试机搭载开放式GTFY软件系统，支持VisualStudio与C++开发环境，让工程师能够自由定制测试流程，快速开发复杂测试程序。系统兼容Access、Excel、CSV、STDF等主流数据格式，无缝对接现有数据分析平台。同时...

  杭州国磊半导体设备有限公司依据市场需求开发出GM8800多通道绝缘电阻/导电阳极丝（CAF）测试系统。该系统以其***的256通道并行测试能力、高达10^14Ω的电阻测量上限、1V至3000V的宽范围可编程偏置电压以及优于±3%~±10%的测量精度，树立了国产高阻测试设备的新**。GM8800的设计充分考虑了实际应用的多样性与复杂性，提供...

  在高速信号传输测试中，测试板卡需要应对诸多挑战以确保信号的完整性、稳定性和准确性。以下是一些关键策略和方法：信号完整性分析：测试板卡应集成或配合信号完整性分析工具，如示波器、时域反射计（TDR）和网络分析仪等，对高速信号的波形、时序和频谱进行详细分析。这有助于识别信号衰减、时序失真和串扰等问题，并采取相应的措施进行优化。优化布局与设计：测...

  AI芯片在推理或训练突发负载下，电流可在微秒级剧烈波动，易引发电压塌陷（VoltageDroop）。国磊GT600SoC测试机支持高采样率动态电流监测，可捕获电源门控开启瞬间的浪涌电流（InrushCurrent）与工作过程中的瞬态功耗波形，帮助设计团队优化去耦电容布局与电源完整性（PI）设计。其128M向量响应存储深度支持长时间功耗行为...

  GM8800CAF测试系统支持1-9999小时持续测试（约416天），搭载三级UPS断电保护（30/60/120分钟可选）。在-55℃~125℃极端温度循环中，系统维持10¹³-10¹⁴Ω区间±8%测量精度。256通道同步监测能力可捕捉<15ms的微秒级短路脉冲，配合时间戳（采样/运行/总时长三维记录），完整还原卫星载荷PCB的CAF失效...

  针对2.5D/3D封装底部填充胶，在100V偏压与85%RH条件下执行CAF测试。GM8800系统突破性实现10¹⁴Ω超高阻测量（精度±10%），可检测0.01%吸湿率导致的绝缘衰减：1、空间定位：电阻突变频谱分析功能，定位封装内部±0.5mm级CAF生长点。2、过程监控：1~600分钟可调间隔捕捉阻值从10⁶Ω到10¹³Ω跃迁曲线。3、...