EVG ® 501
晶圆键合系统
适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统
特色
技术数据
EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从单个芯片到150 mm(200 mm键合室为200
mm)的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学,研发机构或小批量生产的理想选择。EVG大批量制造工具(例如EVG GEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。 我们的服务包括通过安全的连接,电话或电子邮件,对包括现场验证,进行实时远程诊断和设备/工艺排除故障。EVG501键合机供应商家
EVG ® 810 LT
LowTemp™等离子激/活系统
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
特色
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。
特征
表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结)
晶圆键合机制中**快的动力学
无需湿工艺
低温退火(**/高400°C)下的**/高粘结强度
适用于SOI,MEMS,化合物半导体和高级基板键合
高度的材料兼容性(包括CMOS) EVG850 DB键合机国内用户旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。
键合对准机系统
1985年,随着世界上第/一个双面对准系统的发明,EVG革新了MEMS技术,并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了**/高的精度,灵活性和易用性以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足**苛刻的对准过程。包含以下的型号:EVG610 BA键合对准系统;EVG620 BA键合对准系统;EVG6200 BA键合对准系统;Smart View NT键合对准系统;
EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统
用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒
特色
技术数据
EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。
特征
多达四个清洁站
全自动盒带间或FOUP到FOUP处理
可进行双面清洁的边缘处理(可选)
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁
先进的远程诊断
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程 对于无夹层键合工艺,材料和表面特征利于键合,但为了与夹层结合,键合材料沉积和组成决定了键合线的材质。
EVG ® 850
特征
生产系统可在高通量,高产量环境中运行
自动盒带间或FOUP到FOUP操作
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型:平面到平面或凹口到凹口
对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°
结合力:**/高5 N
键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活
真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件)
清洁站
清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)
腔室:由PP或PFA制成(可选)
清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:**/高3000 rpm(5 s)
清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)
可选功能
ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)
LowTemp™等离子活化室
红外检查站
EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。西藏EVG850 LT键合机
EVG的GEMINI系列是顶/级大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。EVG501键合机供应商家
EVG ® 520 IS晶圆键合机系统
单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产
特色
技术数据
EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计,具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征
全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项:
高真空能力(1E-6毫巴)
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
**/大接触力
10、20、60、100 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准:1E-5 mbar
可选:1E-6 mbar
EVG501键合机供应商家
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